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硅粉常壓直接氮化制備氮化硅粉的研究 |
來源:硅酸鹽通報 更新時間:2013-06-06 09:18:14 瀏覽次數: |
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北京科技大學尹少武等以平均粒徑為2.8 um 的硅粉為原料,添加氮化硅粉作為稀釋劑,對常壓氮氣下直接氮化制備Si3N4粉的工藝進行了研究,分析了硅粉常壓直接氮化制備Si3N4粉過程中稀釋劑種類、稀釋劑添加比例、氮化溫度、氮化時間等因素對硅的氮化過程的影響。通過一系列的探索,發現當添加30%的α- Si3N4粉作為稀釋劑、氮化溫度為1550℃、氮化時間為10min時,合成了氮含量為39.4%,游離硅為0.7%,主要為α相、含部分β相的Si3N4 粉,實現了硅粉常壓高溫直接氮化工藝制備Si3N4粉。 |
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