西安工業大學王芳杰等針對傳統光學加工中碳化硅表面質量精度低和難于加工的特點,提出用磁流變直接加工碳化硅表面的工藝流程。采用自行研制的磁流變拋光機對Φ40×2mm的6H-SiC進行了拋光實驗研究。結果表明,直徑為40mm的碳化硅材料圓柱體,硅面經過20min的磁流變粗拋,表面粗糙度Ra提升至5.9nm,亞表面破壞層深度降至35.764nm,經過磁流變精拋和超精拋,表面粗糙度最終提升至0.5nm,亞表面破壞層深度降至1.4893nm,表面變得非常平坦,無劃痕。由此表明,所采用的工藝流程可以實現碳化硅表面的納米級拋光和非常小的亞表面破壞層深度。
本文所述技術未經本網核實,請用戶自行審核,本網不對其真實性負責。 |