不同分解工藝生產的高白填料,其氫氧化鋁晶體生長形態不同。東北大學于海燕等采用掃描電鏡、X射線衍射和拉曼光譜等分析手段研究了碳分和種分氫氧化鋁高白填料產品的微觀結構,揭示了它們晶體發育的變化。結果表明,高白填料氫氧化鋁晶體屬單斜晶系,空間群P21/n,擇優生長晶面均為(002)晶面;種分氫氧化鋁晶體比碳分氫氧化鋁晶體的(002)晶面擇優取向因子值小,為多晶面生長;種分氫氧化鋁晶體晶格參數比碳分氫氧化鋁晶體晶格參數和拉曼光譜特征峰半高寬數值小,因此,種分高白填料氫氧化鋁晶體中雜質和晶格缺陷比較少,晶體結晶度明顯好于碳分高白填料產品。
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