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中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法 |
來源: 更新時間:2013-06-12 10:18:20 瀏覽次數: |
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專利名稱:中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法
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內容摘要:發明人:杜祖亮,吳新志,戴樹璽,張興堂申請人:河南大學申請號:CN200910065119.6 中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法,屬仿生合成領域。該法在無塵箱內進行,包括兩個步驟:1)將聚β-苯甲基天門冬氨酸溶于揮發性溶劑中制成鋪展液,然后將鋪展液滴于去離... |
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發明人:杜祖亮,吳新志,戴樹璽,張興堂
申請人:河南大學
申請號:CN200910065119.6
中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法,屬仿生合成領域。該法在無塵箱內進行,包括兩個步驟:1)將聚β-苯甲基天門冬氨酸溶于揮發性溶劑中制成鋪展液,然后將鋪展液滴于去離子水亞相表面上,使聚β-苯甲基天門冬氨酸鋪展成單分子膜,保持一段時間以使溶劑揮發,然 后開始壓膜,目標表面壓為19~21mN/m,達到目標壓后將亞相表面的單分子層轉移到疏水基 片上;2)提膜后的基片干燥后斜插入濃度為4.9~5.1mM的碳酸氫鈣溶液中使晶體生長20~28h, 晶體生長溫度控制在25±1℃。產物經X射線衍射分析確認為方解石晶體;掃描電鏡結果顯示晶體呈規則的碟狀且為中空結構。本發明對實驗設備和條件要求較低,可操作性強,可重復性好。
http://www.5mzg11v.top/uploadfile/2013/0923/20130923090619337.pdf
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