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一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2013-09-22 09:25:06 瀏覽次數: |
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專利名稱:一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法
專利持有人:上海華力微電子有限公司
所屬行業:
內容摘要:本發明公開了一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法,目的是提供一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法。該方法,優化了工藝,減小成本,同時能夠改善器件性能。 |
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發明人:徐強
申請人:上海華力微電子有限公司
申請號:CN201210158843.5
本發明公開了一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法,其中,包括下列步驟:提供一種具有NMOS晶體管和PMOS晶體管的半導體襯底;在所述半導體襯底上沉積一層第一氮化硅層;在所述第一氮化硅層的表面沉積一層第二氮化硅層,所述第二氮化硅層為摻雜有雜質元素的氮化硅層,所述第一氮化硅層和所述第二氮化硅層組成高拉應力的氮化硅薄膜;蝕刻所述PMOS晶體管表面,去除所述PMOS管表面的第一氮化硅層和第二氮化硅層;對所述半導體襯底進行快速熱退火工藝;對所述NMOS晶體管進行刻蝕,去除NMOS晶體管表面的第一氮化硅層和第二氮化硅層。本發明的目的是提供一種形成雙應力層氮化硅薄膜的方法。該方法,優化了工藝,減小成本,同時能夠改善器件性能。
http://www.5mzg11v.top/uploadfile/2013/0922/20130922092941221.pdf
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