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一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2013-11-25 09:02:16 瀏覽次數: |
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專利名稱:一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法
專利持有人:哈爾濱工業大學
所屬行業:
內容摘要:一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法,本發明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制備方法。本發明要解決現有方法制備的多孔碳化硅陶瓷力學性能低、比表面積低的技術問題。該多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉體、燒結助劑、去離子水、分散劑、粘結劑和消泡劑制... |
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發明人:葉楓,劉強,劉仕超,楊海霞,侯趙平
申請人:哈爾濱工業大學
申請號:CN201310229375.0
一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷及其制備方法,本發明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制備方法,其特征在于一種具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷以碳化硅粉體及燒結助劑為原料,采用冷凍澆注法成型,經干燥后燒結制備而成,在冷凍澆注的漿料中,按照體積百分比,碳化硅粉體和燒結助劑的混合粉體為5~60%,去離子水為95~40%;碳化硅粉體和燒結助劑的混合粉體、分散劑、粘結劑和消泡劑的質量比為1:(0.001~0.03):(0.005~0.03):(0.001~0.01);碳化硅粉體和燒結助劑的混合粉體中燒結助劑的質量分數為1~50%。
本發明要解決現有方法制備的多孔碳化硅陶瓷力學性能低、比表面積低的技術問題。該多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉體、燒結助劑、去離子水、分散劑、粘結劑和消泡劑制備;方法:一、制備漿料;二、制備多孔碳化硅陶瓷生坯;三、制備預氧化多孔碳化硅陶瓷坯體;四、制備鋇長石原位結合的多孔碳化硅陶瓷;五、高溫熱處理。本發明制備的多孔陶瓷孔隙率可達20vol%-82vol%,孔徑為0.1-300μm;氣孔率為48v0l%時,抗彎強度可達63MPa;孔壁中原位生成長棒狀碳化硅晶粒。本發明用于制備具有新型孔壁結構的多孔碳化硅陶瓷。
http://www.5mzg11v.top/uploadfile/2013/1125/20131125090504328.pdf
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