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納米銀附著氧化鋅光電探測器的研究突破性進展 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2014-12-09 10:13:32 瀏覽次數: |
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(中國粉體技術網/班建偉)增強對入射光的吸收是提高光電探測器性能的重要途徑。傳統的薄膜型半導體探測器存在較強的表面反射,降低了對入射光的吸收,進而影響了光電探測器的靈敏度。一維納米材料由于大的比表面積和良好的載流子傳輸通道,具有遠大于體材料的光電導增益,是構建納米光電探測器的基本單元。如何提高一維納米材料光電探測器對入射光的吸收效率,對納米材料光電探測器的研究具有重要意義。
武漢光電國家實驗室高義華教授領導的研究小組,研究了金屬Ag納米顆粒附著ZnO納米線陣列的光吸收特性,實現了一種具有光吸收增強效應的Ag納米顆粒-ZnO納米線陣列紫外光電探測器。首先通過化學氣相沉積法在GaN襯底上得到具有良好垂直度的ZnO納米線陣列,再用蒸鍍法在ZnO納米線陣列表面沉積Ag納米顆粒進行表面修飾,最后實現器件組裝和測試。研究表明,得益于金屬納米顆粒的局域等離子效應,經過Ag納米顆粒修飾后的ZnO納米線陣列表現出明顯的光吸收增強特性,對365nm紫外光的光電響應也顯著增強(開關比從13.2上升到89.7)。這種光吸收增強金屬/半導體納米線陣列的光電探測器的研究,對設計開發新型高性能的納米半導體材料光電探測器提供了新思路。
來源:中國科學院
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