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摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法 |
來源:中國粉體技術網 更新時間:2014-01-15 21:46:48 瀏覽次數: |
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專利名稱:摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法
專利持有人:長春理工大學
所屬行業:
內容摘要:摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法屬于光電子材料技術領域?,F有摻鉺釔鋁石榴石晶體Er3+、Y3+離子半徑匹配不好,會使晶體容易開裂,鉺摻入量受限,激光晶體熒光強度峰值不高;其生長周期較長,在晶體中存在更多的色心缺陷,生長溫度較高,銥金坩堝本身有揮發... |
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發明人:曾繁明,李春,林海,劉景和,谷亮,鄭東陽,苗東偉,李秦霖,楊曉東,梁璇,方旭光
申請人:長春理工大學
申請號:CN201310081614.2
摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法屬于光電子材料技術領域?,F有摻鉺釔鋁石榴石晶體Er3+、Y3+離子半徑匹配不好,會使晶體容易開裂,鉺摻入量受限,激光晶體熒光強度峰值不高;其生長周期較長,在晶體中存在更多的色心缺陷,生長溫度較高,銥金坩堝本身有揮發,降低晶體質量。本發明之摻鉺鐿鎵石榴石晶體的晶體基質屬于立方晶系,鉺為激活元素,晶體基質為鐿鎵石榴石,晶體分子式為Er:Yb3Ga5O12;其生長方法包括生長料制備、晶體生長和退火三個步驟,制備生長料的原料有Er2O3;采用提拉法生長晶體;其特征在于,制備生長料的原料還有Yb2O3、Ga2O3;晶體生長的工藝參數確定為:提拉速度0.5~0.8mm/h,旋轉速度12~20rpm,生長溫度1740~1760℃,所生長的晶體為摻鉺鐿鎵石榴石晶體。
http://www.5mzg11v.top/uploadfile/2014/0115/20140115094752269.pdf
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